三氧化二铝磁控溅射仪

O2流量为0.8sccm、1.0sccm、1.2sccm时直流和射频制备的薄膜均呈透明状且表面均匀致密，常温下不同O2流量制备的Al2O3薄膜均为非晶态。　　在单因素试验研究的基础上设计正交试验，继续深入研究直流、射频方法下，溅射靶功率、O2流量、工作气压的综合变化对Al2O3薄膜溅射沉积速率的影响，并对正交试验结果进行差与方差分析。了较优的直流、射频薄膜制备工艺参数并进行薄膜的制备，对制备薄膜的沉积时间、薄膜表面粗糙度、薄膜的复合硬度进行检测并对比分析，选定了优化后的直流溅射工艺参数并实施Al2O3薄膜的制备。通过对制备的薄膜进行扫描电镜观测和能谱检测，验证了所选工艺参数的合理性。对常温下不锈钢基底上制备的Al2O3薄膜进行退火处理，测试分析退火温度对薄膜晶体结构影响，结果表明:与常温制备薄膜相比，退火温度800℃时出现γ-Al2O3晶体结构，奥氏体相消失，退火温度1000℃时出现α-Al2O3晶体结构和金属间化合物AlFe。　　利用薄膜传感器的结构要求与传感器薄膜的性能要求探索了制备Al2O3绝缘膜的工艺方法，得出了溅射靶功率、O2流量、工作气压、负偏压和本底真空度等因素对直流和射频溅射沉积薄膜性能等的影响规律，改进并优化了Al2O3薄膜制备工艺，结合退火工艺得出了退火温度对Al2O3薄膜晶体结构的影响规律    

三氧化二铝磁控溅射仪KT-Z1650PVD

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